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AS29CF160B-55TIN

Name: Alliance Memory AS29CF160B-55TIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS29CF160B-55TIN
Price: 14.74 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

913-AS29CF160B-55TIN

Fabricante N.º:

AS29CF160B-55TIN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

Memoria flash tipo NOR Parallel 16M Memoria flash tipo NOR 2M X 8, 5V, TSOP 48PIN, 55NS INDUSTRIAL TEMP. BOTTOM

Hoja de datos:

AS29CF160B-55TIN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$13.53	$338.25
	$12.58	$629.00
	$12.30	$1,180.80
	$12.03	$3,464.64
	$11.77	$6,779.52
1,056	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-48
Serie:	AS29CF160
Tamaño de memoria:	16 Mbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Corriente de lectura activa - máx.:	50 mA
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	2 M x 8/1 M x 16
Ancho de bus de datos:	8 bit/16 bit
Tipo de tiempo:	Asynchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Cantidad de empaque de fábrica:	96
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	12.314 g

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Hoja de datos

AS29CF160B-55TIN Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320051
TARIC:: 8542326100
ECCN:: EAR99

AS29CF160x-55TIN Parallel NOR Flash Memories

Alliance Memory AS29CF160x-55TIN Parallel NOR Flash Memories are organized as 2,097,152 bytes of 8 bits or 1,048,576 words of 16 bits each. These memories use pins I/O₀ to I/O₇ for 8-bit data and pins I/O₀ to I/O₁₅ for 16-bit data. The AS29CF160x-55TIN Flash memories are available in 48-pin TSOP packages. These memories are designed to be programmed in-system with the standard system 5V VCC supply. The AS29CF160x-55TIN memories require only a single 5V power supply for both read and write functions. The program and erase functions use internally generated and regulated voltages.