AS4C16M16SB-7TCNTR

Alliance Memory
913-S4C16M16SB7TCNTR
AS4C16M16SB-7TCNTR

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, B Die

Modelo ECAD:
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En existencias: 840

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
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$4.45 $44.50
$4.32 $108.00
$4.22 $211.00
$4.12 $412.00
$3.98 $995.00
$3.89 $1,945.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$3.77 $3,770.00
$3.70 $7,400.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$5.79
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
16 bit
143 MHz
TSOP-II-54
16 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
Reel
Cut Tape
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 55 mA
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320024
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.