AS4C256M16D3LC-10BIN

Alliance Memory
913-4C256M16D3L10BIN
AS4C256M16D3LC-10BIN

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray

Modelo ECAD:
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En existencias: 289

Existencias:
289 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$16.83 $16.83
$15.62 $156.20
$15.13 $378.25
$14.77 $738.50
$14.02 $1,402.00
$13.66 $2,854.94
$13.45 $5,622.10
1,045 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
256 M x 16
20 ns
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 209
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 84 mA
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.