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CDMSJ22013.8-650 SL

Name: Central Semiconductor CDMSJ22013.8-650 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDMSJ220138650SL
Price: 4.1 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

610-CDMSJ220138650SL

Fabricante N.º:

CDMSJ22013.8-650 SL

Fabricante:

Central Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

Hoja de datos:

CDMSJ22013.8-650 SL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FP-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	35.7 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	66 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	69 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N-Channel Super Junction Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	171 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	43 ns

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Hoja de datos

CDMSJ22013.8-650 SL Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low R_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).