EPC2103

EPC
65-EPC2103
EPC2103

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 980

Existencias:
980 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$10.71 $10.71
$7.44 $74.40
$6.20 $620.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
$5.06 $2,530.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
2-Channel
80 V
30 A
5.5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.5 nC, 6.5 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tipo: Half-Bridge
Peso de la unidad: 23 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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