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IXFN52N90P

Name: IXYS IXFN52N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN52N90P
Price: 38.44 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFN52N90P

Fabricante N.º:

IXFN52N90P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Hoja de datos:

IXFN52N90P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	900 V
Id - Corriente de drenaje continua:	43 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	160 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 W
Serie:	IXFN52N90
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	42 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	80 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	Polar Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	95 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	63 ns
Peso de la unidad:	38 g

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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