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IXFP3N120

Name: IXYS IXFP3N120
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP3N120
Price: 9.56 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFP3N120

Fabricante N.º:

IXFP3N120

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds

Hoja de datos:

IXFP3N120 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	39 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	HiPerFET
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	2 g

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ECCN:: EAR99

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