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MSC035SMA170S

Name: Microchip MSC035SMA170S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC035SMA170S
Price: 35.13 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

579-MSC035SMA170S

Fabricante N.º:

MSC035SMA170S

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268

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Hoja de datos:

MSC035SMA170S Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$35.13	$35.13
	$33.67	$336.70
	$31.81	$954.30
	$31.44	$3,772.80
5,010	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-268-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	59 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.25 V
Qg - Carga de puerta:	178 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	278 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	20 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	38 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.