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MSC080SMA330B4N

Name: Microchip MSC080SMA330B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMA330B4N
Price: 63.11 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-MSC080SMA330B4N

Fabricante N.º:

MSC080SMA330B4N

Fabricante:

Microchip Technology

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	3.3 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	41 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	105 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.97 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	381 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	32 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	25 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	34 ns