TP0606N3-G

Name: Microchip TP0606N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 689-TP0606N3-G
Price: 1.11 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

689-TP0606N3-G

Fabricante N.º:

TP0606N3-G

Fabricante:

Microchip Technology

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-92-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	320 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	300 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	453.600 mg