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GANSPIN611TR

Name: STMicroelectronics GANSPIN611TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-GANSPIN611TR
Price: 10.39 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-GANSPIN611TR

Fabricante N.º:

GANSPIN611TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$10.39	$10.39
	$8.03	$80.30
	$7.66	$191.50
	$6.65	$665.00
	$6.35	$1,587.50
	$5.79	$2,895.00
	$5.09	$5,090.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$4.96	$14,880.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición
RoHS:
Producto:	Half-bridge Driver
Tipo:	Half-bridge with High-voltage Driver
Corriente de salida:	10 A
Corriente de suministro operativa:	900 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-35
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de salidas:	1 Output
Frecuencia de trabajo:	200 kHz
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	GANSPIN
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	10.7 V
Nombre comercial:	GaNSPIN
Peso de la unidad:	194 mg

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge is an advanced power system-in-package integrating two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration driven by a state-of-the-art high-voltage, high-frequency gate driver. The integrated power GaNs have an R_DS(ON) of 138mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage, while the integrated bootstrap diode can easily supply the high side of the embedded gate driver.