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STF26NM60N

Name: STMicroelectronics STF26NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF26NM60N
Price: 6.03 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STF26NM60N

Fabricante N.º:

STF26NM60N

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Serie:	STF26NM60N
Nombre comercial:	MDmesh
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	50 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Número de canales:	1 Channel
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Dp - Disipación de potencia :	35 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	60 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	165 mOhms
Tiempo de subida:	25 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	85 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Peso de la unidad:	2 g