STFH10N60M6

STMicroelectronics
511-STFH10N60M6
STFH10N60M6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 920   Múltiples: 920
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$0.896 $824.32

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
650 V
6.4 A
600 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
8.8 nC
- 55 C
+ 150 C
20 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns
Serie: Mdmesh M6
Cantidad de empaque de fábrica: 920
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99