STPSC406D

STMicroelectronics
511-STPSC406D
STPSC406D

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 600 V Power Schottky Diode
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
4 A
600 V
1.9 V
14 A
50 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad: 6 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
8541100901
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

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