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CSD18514Q5A

Name: Texas Instruments CSD18514Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18514Q5A
Price: 1.26 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18514Q5A

Fabricante N.º:

CSD18514Q5A

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

Hoja de datos:

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Cinta cortada

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Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.26	$1.26
	$0.79	$7.90
	$0.522	$52.20
	$0.406	$203.00
	$0.369	$369.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.328	$820.00
	$0.316	$1,580.00

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD18514Q5AT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.14

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD18514Q5AT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	38 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	59 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Serie:	CSD18514Q5A
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	84.200 mg

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ECCN:: EAR99

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TI N-Channel 8-23-12

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