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DRV8300DIPWR

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Mouser N.º:

595-DRV8300DIPWR

Fabricante N.º:

DRV8300DIPWR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Gate Drivers 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

Hoja de datos:

DRV8300DIPWR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Mouser actualmente no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSSOP-20
Número de controladores:	3 Driver
Número de salidas:	6 Output
Corriente de salida:	750 mA
Voltaje de alimentación - Mín.:	5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Configuración:	Inverting
Tiempo de subida:	24 ns
Tiempo de caída:	12 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	DRV8300
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Kit de desarrollo:	DRV8300DIPW-EVM
Tipo lógico:	CMOS
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	180 ns
Apagado:	No Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers

Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300D/DRV8300D-Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. The DRV8300N generates the correct gate drive voltages using an external bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 gate drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.