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C3M0040120J1-TR

Name: Wolfspeed C3M0040120J1-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0040120J1TR
Price: 12 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-C3M0040120J1TR

Fabricante N.º:

C3M0040120J1-TR

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial

Hoja de datos:

C3M0040120J1-TR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$12.00	$12.00
	$8.44	$84.40
	$7.24	$724.00
	$6.78	$3,390.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$6.78	$5,424.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	64 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	53.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	94 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	272 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC

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Product Change Notification (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio 1,200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1,200 V de Wolfspeed marcan el estándar en cuanto a rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed cuentan con capacidades de conmutación rápida y de baja pérdida, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el costo general de BOM en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT existentes.

MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650V de Wolfspeed ofrecen bajo nivel de resistencias en estado activo y pérdidas de conmutación para lograr una máxima eficiencia y densidad de potencia. Los MOSFET de 650V están optimizados para aplicaciones electrónicas de energía de alto rendimiento, como fuentes de alimentación para servidores, sistemas de carga de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía, inversores solares (PV), fuentes de alimentación ininterrumpida y sistemas de gestión de baterías. En comparación con el silicio, los MOSFET de carburo de silicio de 650 V de Wolfspeed permiten pérdidas de conmutación menores al 75 %, la mitad de las pérdidas de conducción y 3 veces más densidad de potencia. ½