NVMJS1D7N04CTWG

onsemi
863-NVMJS1D7N04CTWG
NVMJS1D7N04CTWG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 9,254

Existencias:
9,254 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
44 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.45 $2.45
$1.58 $15.80
$1.08 $108.00
$0.863 $431.50
$0.794 $794.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.794 $2,382.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
106 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: NVMJS1D7N04C
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 99.445 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.