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SIHH240N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHH240N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH240N60ET1GE3
Price: 3.79 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIHH240N60ET1GE3

Fabricante N.º:

SIHH240N60E-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SIHH240N60E-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$1.47	$4,410.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 8 x 8 - 8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	208 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	89 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	SIHH E
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns

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ECCN:: EAR99

4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4^th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4^th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4^th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK^® SO-8L, PowerPAK^® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.