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IDH08G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH08G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH08G65C5XKSA2
Price: 3.55 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IDH08G65C5XKSA2

Fabricante N.º:

IDH08G65C5XKSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

Hoja de datos:

IDH08G65C5XKSA2 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	68 A
Ir - Corriente inversa:	400 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	XDH08G65
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Dp - Disipación de potencia :	76 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	CoolSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	IDH08G65C5 SP001632368
Peso de la unidad:	2 g

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Packaging:PG-TO220-2-1 | IDH08G65C5XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

PSpice CoolSiC™ Schottky diode 650V G5 IDHxxG65C5 (Cierre)

Technical Resources

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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Infineon Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes provide a portfolio that addresses the need for smarter, more efficient energy generation, transmission, and consumption. The CoolSiC portfolio addresses customers’ needs for reduced system size and cost in mid- to high-power systems while meeting the highest quality standards, providing a long system lifetime, and guaranteeing reliability. With CoolSiC, customers will reach the most stringent efficiency targets while seeing a drop in operational system costs. The portfolio is comprised of CoolSiC Schottky diodes, CoolSiC hybrid modules, CoolSiC MOSFET modules, and discrete, plus EiceDRIVER™ gate driver ICs for driving Silicon Carbide devices.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).