Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

IS66WVS8M8FALL-104NLI

Name: ISSI IS66WVS8M8FALL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVS8M8FALL104NLI
Price: 5.18 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

870-WVS8M8FALL104NLI

Fabricante N.º:

IS66WVS8M8FALL-104NLI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

IS66WVS8M8FALL-104NLI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ISSI IS66WVS8M8FALL-104NLI

En existencias: 139

Existencias:: 139

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 100
Plazo de entrega de fábrica:: 12

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máxima: 15

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$5.18	$5.18
	$4.97	$49.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	104 MHz
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Organización:	8 M x 8
Tiempo de acceso:	7 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.65 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	15 mA

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IS66WVS8M8FALL-104NLI Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.