Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NSV20201DMTWTBG

Name: onsemi NSV20201DMTWTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSV20201DMTWTBG
Price: 1.1 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NSV20201DMTWTBG

Fabricante N.º:

NSV20201DMTWTBG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

Hoja de datos:

NSV20201DMTWTBG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NSV20201DMTWTBG

En existencias: 2,960

Existencias:: 2,960 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.10	$1.10
	$0.69	$6.90
	$0.453	$45.30
	$0.351	$175.50
	$0.318	$318.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.275	$825.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-6
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	20 V
Tensión VCBO colector-base:	20 V
Voltaje VEBO emisor-base:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	330 mV
Dp - Disipación de potencia :	2.27 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	180 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Calificación:	AEC-Q101
Serie:	NSS20201DM
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	2 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	100
Máx. ganancia de CC hFE:	250
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NSV20201DMTWTBG Hoja de datos

PCN

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.