PJQ4526P-AU_R2_002A1

Panjit
241-PJQ4526PAUR22A1
PJQ4526P-AU_R2_002A1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 4,899

Existencias:
4,899 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.05 $1.05
$0.655 $6.55
$0.429 $42.90
$0.331 $165.50
$0.273 $273.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$0.245 $1,225.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Panjit
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
65 A
5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
37.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marca: Panjit
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 23 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13 ns
Alias de las piezas n.º: PJQ4526P
Peso de la unidad: 30.495 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.