TGF2023-2-01

Qorvo
772-TGF2023-2-01
TGF2023-2-01

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB

Ciclo de vida:
NRND:
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Modelo ECAD:
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Precio ext.
$43.13 $2,156.50
$40.44 $4,044.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Die
N-Channel
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 18 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 18 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Potencia de salida: 6 W
Empaquetado: Gel Pack
Producto: RF JFET Transistors
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: TGF2023
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN-on-SiC
Tipo de transistor: GaN HEMT
Tipo: GaN SiC HEMT
Alias de las piezas n.º: 1099624
Peso de la unidad: 739.600 mg
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5-0810-13

Hoja de datos

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

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