Todos los resultados (20,789)

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.
Clasificar pedido:
Categorías clasificadas por cantidad de resultados.
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 2.1A Precision ADJ 5.5V 2.1A 210kOhm 15,189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO LDO CMOS LowCurr 26,109En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO 1A ADJ LDO Fixed Reg 2.8V 150mV 300mA 8,957En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Conversores CA/DC N-Ch Secondary Side Syn Rect Switch 100V 3,853En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 90V 2A 3,539En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 30V 200mW 15,822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 22,887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss 7,626En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W 13,284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W 15,126En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W 38,635En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V PowerDI3333-8 T&R 2K 22,510En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K 28,585En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A 2,048En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 3,368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC 73,729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A 19,027En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A 8,753En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 3,494En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 9,348En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 7,602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 6,935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 3,127En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP BIPOLAR 51,944En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000