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Herramientas y suministros

Dispositivos optoelectrónicos

Conectores

Potencia

Sin clasificar
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM GaN FETs 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
MACOM GaN FETs 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250


MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM GaN FETs RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM GaN FETs RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM GaN FETs RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM GaN FETs RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM GaN FETs RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM GaN FETs RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM Amplificador de RF 180W GaN HEMT 50V 2.7 to 3.1GHz Pill No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM Herramientas de desarrollo RF Amp 1030MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2
Mult.: 2
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250