|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
STMicroelectronics STWA35N65DM2
- STWA35N65DM2
- STMicroelectronics
-
600:
$4.01
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA35N65DM2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package
STMicroelectronics STI33N60M6
- STI33N60M6
- STMicroelectronics
-
1,000:
$2.61
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M6
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB17N80K5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$2.18
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB17N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB22N60M6
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.33
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB22N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
- STB32N65M5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$5.70
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB32N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
- STD6N62K3
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.931
-
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD6N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
- STF3N80K5
- STMicroelectronics
-
2,000:
$0.649
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF3N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
- STF42N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
1,000:
$3.10
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF42N60M2-EP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF5N105K5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.18
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF5N105K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF5N80K5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$0.788
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF5N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
|
$0.788
|
|
|
$0.746
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
- STF7NM80
- STMicroelectronics
-
1,000:
$2.02
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
- STF8N65M5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.20
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF8N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
- STFW42N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
300:
$6.98
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW42N60M2-EP
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 300
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STH30N65DM6-7AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
$3.37
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH30N65DM6-7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
- STI18N65M2
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.10
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI18N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
- STI33N60M2
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.51
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
- STI33N65M2
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.68
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI33N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
- STI6N80K5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.09
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI6N80K5
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL12N60M6
- STMicroelectronics
-
3,000:
$0.807
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.39 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
- STL13N60M2
- STMicroelectronics
-
3,000:
$0.704
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.39 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL13N65M2
- STMicroelectronics
-
3,000:
$0.85
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL13N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
- STL15N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
3,000:
$0.814
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL15N60M2-EP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
- STL16N60M6
- STMicroelectronics
-
3,000:
$1.22
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL26N60DM6
- STMicroelectronics
-
3,000:
$1.81
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL26N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.182 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL26N65DM2
- STMicroelectronics
-
3,000:
$1.68
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL26N65DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.182 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
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|