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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT65R080CFD7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.35
-
1,880En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R080CFD7XTM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,880En existencias
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$7.35
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$4.82
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$3.15
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$2.79
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$2.79
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Mult.: 1
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2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT65R125CFD7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
1,934En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R125CFD7XTM
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,934En existencias
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$4.38
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$1.69
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Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R024P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
547En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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547En existencias
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$12.04
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R031CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
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-
703En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R060P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
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-
906En existencias
-
2,400En pedido
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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906En existencias
2,400En pedido
|
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$8.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R099P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
976En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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976En existencias
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$5.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
- IPW65R019C7FKSA1
- Infineon Technologies
-
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-
750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7FKSA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
|
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750En existencias
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
- IPW65R080CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
$8.25
-
381En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
|
|
381En existencias
|
|
|
$8.25
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$6.00
|
|
|
$5.00
|
|
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$4.45
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.12
-
390En existencias
-
240En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
|
|
390En existencias
240En pedido
|
|
|
$8.12
|
|
|
$4.73
|
|
|
$4.16
|
|
Min.: 1
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|
|
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
- IPZ65R019C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$23.44
-
167En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
|
|
167En existencias
|
|
|
$23.44
|
|
|
$17.50
|
|
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$15.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZ65R065C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.68
-
1,196En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,196En existencias
|
|
|
$9.68
|
|
|
$6.83
|
|
|
$5.69
|
|
|
$5.07
|
|
|
$4.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW32N50C3
- Infineon Technologies
-
1:
$8.64
-
1,208En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
1,208En existencias
|
|
|
$8.64
|
|
|
$5.07
|
|
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$4.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R500CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.42
-
952En existencias
-
1,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
952En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$1.42
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|
|
$0.671
|
|
|
$0.597
|
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$0.467
|
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|
$0.391
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6
- IPA60R125C6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.93
-
251En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125C6XK
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6
|
|
251En existencias
|
|
|
$4.93
|
|
|
$3.61
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.52
|
|
|
$2.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
- IPA60R199CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.06
-
294En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
|
|
294En existencias
|
|
|
$4.06
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.31
-
498En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
498En existencias
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.614
|
|
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$0.546
|
|
|
$0.462
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.354
|
|
|
$0.349
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA60R280E6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.06
-
273En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
273En existencias
|
|
|
$3.06
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA60R280E6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.82
-
431En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
431En existencias
|
|
|
$5.82
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
- IPA60R299CP
- Infineon Technologies
-
1:
$3.18
-
452En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
|
|
452En existencias
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- IPD65R380E6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.38
-
646En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R380E6ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
646En existencias
|
|
|
$2.38
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.827
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.716
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
- IPL60R360P6SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
3,900En existencias
-
5,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R360P6SATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
|
|
3,900En existencias
5,000En pedido
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.48
|
|
|
$0.999
|
|
|
$0.796
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.683
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
- IPL60R650P6SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.07
-
5,000En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R650P6SATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
|
|
5,000En existencias
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.32
|
|
|
$0.884
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.535
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K0CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.96
-
3,057En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,057En existencias
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.216
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.271
|
|
|
$0.205
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K5CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.84
-
1,837En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,837En existencias
|
|
|
$0.84
|
|
|
$0.522
|
|
|
$0.337
|
|
|
$0.257
|
|
|
$0.174
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.246
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.158
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN95R2K0P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.50
-
2,049En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,049En existencias
|
|
|
$1.50
|
|
|
$0.947
|
|
|
$0.628
|
|
|
$0.49
|
|
|
$0.446
|
|
|
$0.371
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|