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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
950En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
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: 240

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
1,700En pedido
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: 1,700

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
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Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
500En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
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: 750

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_SICMOS Plazo de entrega 52 Semanas
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: 1,000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 878En existencias
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Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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