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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPL60R180P6AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.58
-
3,881En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
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3,881En existencias
|
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|
$2.58
|
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$1.96
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$1.61
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$1.52
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$1.46
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$1.46
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R360P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.41
-
12,074En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
12,074En existencias
|
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|
$1.41
|
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$0.877
|
|
|
$0.579
|
|
|
$0.448
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|
|
$0.406
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|
|
$0.319
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R075CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.76
-
1,320En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R075CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,320En existencias
|
|
|
$7.76
|
|
|
$6.21
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|
|
$5.02
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|
$4.46
|
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|
$3.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R165CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.73
-
2,498En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
2,498En existencias
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.13
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|
$2.45
|
|
|
$2.18
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|
$1.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R450P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.03
-
3,193En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
3,193En existencias
|
|
|
$3.03
|
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$1.94
|
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$1.32
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|
$1.10
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$1.02
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$0.951
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP65R065C7
- Infineon Technologies
-
1:
$7.50
-
487En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R065C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
487En existencias
|
|
|
$7.50
|
|
|
$5.60
|
|
|
$4.53
|
|
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$4.02
|
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|
$3.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60R080G7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.12
-
1,800En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,800En existencias
|
|
|
$7.12
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.83
|
|
|
$3.41
|
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|
$3.01
|
|
|
$3.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R099P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.07
-
1,327En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
1,327En existencias
|
|
|
$5.07
|
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|
$2.99
|
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|
$2.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
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|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.71
-
2,662En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,662En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.45
|
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$1.38
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$1.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R285P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.89
-
1,622En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,622En existencias
|
|
|
$2.89
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.05
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|
$0.941
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|
Ver
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$0.975
|
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$0.911
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
- IPW65R019C7
- Infineon Technologies
-
1:
$21.58
-
795En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
|
|
795En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R800CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.16
-
6,872En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
6,872En existencias
|
|
|
$1.16
|
|
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$0.728
|
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|
$0.477
|
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|
$0.373
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$0.338
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$0.278
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6
- IPI60R190C6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.46
-
1,254En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R190C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6
|
|
1,254En existencias
|
|
|
$3.46
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R199CPATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.19
-
1,962En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
1,962En existencias
|
|
|
$4.19
|
|
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$2.76
|
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|
$1.95
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP11N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$3.64
-
3,672En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
3,672En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPA60R125P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.18
-
864En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
864En existencias
|
|
|
$4.18
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD65R190C7
- Infineon Technologies
-
1:
$3.40
-
1,244En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,244En existencias
|
|
|
$3.40
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R070CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.65
-
3,281En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,281En existencias
|
|
|
$7.65
|
|
|
$5.09
|
|
|
$4.12
|
|
|
$3.65
|
|
|
$3.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.40
-
1,226En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,226En existencias
|
|
|
$10.40
|
|
|
$7.57
|
|
|
$6.31
|
|
|
$5.61
|
|
|
$5.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
- IPW65R095C7
- Infineon Technologies
-
1:
$5.82
-
897En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
|
|
897En existencias
|
|
|
$5.82
|
|
|
$4.66
|
|
|
$3.77
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
- IPW60R190P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.94
-
615En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
|
|
615En existencias
|
|
|
$3.94
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPP60R160P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.55
-
411En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
411En existencias
|
|
|
$3.55
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
- IPA60R600P6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.08
-
430En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
|
|
430En existencias
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.921
|
|
|
$0.779
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.651
|
|
|
$0.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R099CP
- Infineon Technologies
-
1:
$8.29
-
1,030En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
1,030En existencias
|
|
|
$8.29
|
|
|
$5.52
|
|
|
$4.46
|
|
|
$4.13
|
|
|
$3.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.76
-
4,880En existencias
-
5,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,880En existencias
5,000En pedido
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.551
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.453
|
|
|
$0.426
|
|
|
$0.412
|
|
|
$0.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|