STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Triacs Hi temp 8A Triacs
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2,059En existencias
2,000En pedido
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR High Temperature 30A SCR in TO-220AB Insulated
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1,613En existencias
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SCRs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics SCR 4.0 Amp 600 Volt
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2,816En existencias
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SCRs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR 1.25 Amp 600 Volt
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7,951En existencias
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SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics Triacs 0.8A standard Triacs
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6,416En existencias
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: 1,000

Triacs SMD/SMT SOT-223-3
STMicroelectronics Triacs 1.0 Amp 800 Volt
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9,178En existencias
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: 1,000

Triacs SMD/SMT SOT-223
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2,487En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
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2,461En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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: 100

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics Triacs 20 Amp 700 Volt
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732En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
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1,962En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
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2,236En existencias
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
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2,191En existencias
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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922En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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3,854En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
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913En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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124En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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127En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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356En existencias
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GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni
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4,830En existencias
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: 2,500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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4,199En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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2,258En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR
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6,469En existencias
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SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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45En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole