|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMDQ75R004M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$59.32
-
600En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R004M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
600En existencias
|
|
|
$59.32
|
|
|
$50.59
|
|
|
$44.25
|
|
|
$44.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.78
-
5,739En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-TC039N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
5,739En existencias
|
|
|
$6.78
|
|
|
$4.57
|
|
|
$3.38
|
|
|
$3.37
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HDSOP-16
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
- IAUMN04S7N005GAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.64
-
2,258En existencias
-
200En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N005GAU
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
|
|
2,258En existencias
200En pedido
|
|
|
$4.64
|
|
|
$3.07
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
- IPW60R024CM8XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.73
-
1,440En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CM8XKSA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
|
|
1,440En existencias
|
|
|
$10.73
|
|
|
$6.41
|
|
|
$6.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB50R199CPATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.69
-
13,664En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
13,664En existencias
|
|
|
$3.69
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT026N10N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.26
-
28,963En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT026N10N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
28,963En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPTC054N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.03
-
861En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-TC054N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
861En existencias
|
|
|
$6.03
|
|
|
$4.04
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.73
|
|
|
$2.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HDSOP-16
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
- IRFP064NPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$3.27
-
14,171En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFP064NPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
|
|
14,171En existencias
|
|
|
$3.27
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.11
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
- IAUMN04S7N006GAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.30
-
160En existencias
-
200En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
|
|
160En existencias
200En pedido
|
|
|
$3.30
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT022N10NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.46
-
1,667En existencias
-
1,800En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,667En existencias
1,800En pedido
|
|
|
$3.46
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
Módulos IGBT 950 V, 600 A 3-level IGBT module
- F3L600R10W4S7FC22BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$217.41
-
11En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-R10W4S7FC22BPSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 950 V, 600 A 3-level IGBT module
|
|
11En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon Technologies
-
1:
$1.37
-
58,894En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L23AT3
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
58,894En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.977
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.493
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.586
|
|
|
$0.457
|
|
|
$0.453
|
|
|
$0.425
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
- BSC052N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.52
-
16,652En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
|
|
16,652En existencias
|
|
|
$2.52
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.01
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.816
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.965
|
|
|
$0.816
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
- IPB120N10S405ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.93
-
14,438En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
|
|
14,438En existencias
|
|
|
$3.93
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD053N08N3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.29
-
49,979En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
49,979En existencias
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.15
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.987
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.987
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
- IPD30N08S2L21ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.40
-
36,687En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
|
|
36,687En existencias
|
|
|
$2.40
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.856
|
|
|
$0.692
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.841
|
|
|
$0.687
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
- SPD18P06PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.68
-
50,483En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
|
|
50,483En existencias
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.713
|
|
|
$0.562
|
|
|
$0.46
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.514
|
|
|
$0.429
|
|
|
$0.414
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
- IAUMN04S7N011GAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.23
-
130En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
|
|
130En existencias
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
- FF300R12KS4
- Infineon Technologies
-
1:
$142.98
-
318En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FF300R12KS4
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
|
|
318En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
62 mm
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD380P06NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.44
-
32,191En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
32,191En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.861
|
|
|
$0.719
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.804
|
|
|
$0.713
|
|
|
$0.692
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.19
-
29,732En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
29,732En existencias
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.972
|
|
|
$0.776
|
|
|
$0.625
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.735
|
|
|
$0.611
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IAUC120N06S5N022ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.64
-
5,989En existencias
-
4,900En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N022
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
5,989En existencias
4,900En pedido
|
|
|
$2.64
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.992
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.788
|
|
|
$0.879
|
|
|
$0.831
|
|
|
$0.788
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Módulos de Tiristores THYR / DIODE MODULE DK
- STT1900N16P55XPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$569.89
-
4En existencias
-
1En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-STT1900N16P55XP2
|
Infineon Technologies
|
Módulos de Tiristores THYR / DIODE MODULE DK
|
|
4En existencias
1En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Thyristor Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- BSC105N15LS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.42
-
3,103En existencias
-
5,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC105N15LS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
3,103En existencias
5,000En pedido
|
|
|
$3.42
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.17
|
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$1.07
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Min.: 1
Mult.: 1
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5,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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SuperSO-8
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IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
- IKY50N120CH7XKSA1
- Infineon Technologies
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1:
$5.63
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425En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IKY50N120CH7XKSA
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Infineon Technologies
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IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
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425En existencias
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$5.63
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$3.65
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$3.64
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBT Transistors
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