|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
- BSS314PEH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.39
-
61,344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327XTS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
|
|
61,344En existencias
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.225
|
|
|
$0.151
|
|
|
$0.111
|
|
|
$0.079
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.095
|
|
|
$0.058
|
|
|
$0.054
|
|
|
$0.051
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPF012N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.20
-
892En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
892En existencias
|
|
|
$4.20
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
- BSO220N03MDGXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.17
-
62,857En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
|
|
62,857En existencias
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.587
|
|
|
$0.413
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.276
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.313
|
|
|
$0.264
|
|
|
$0.259
|
|
|
$0.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
- IRFSL3207ZPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$4.40
-
4,430En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFSL3207ZPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
|
|
4,430En existencias
|
|
|
$4.40
|
|
|
$2.65
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.98
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-262-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC360N15NS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$2.44
-
4,548En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
4,548En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.884
|
|
|
$0.819
|
|
|
$0.765
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.00
-
1,574En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-TG063N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
1,574En existencias
|
|
|
$5.00
|
|
|
$3.62
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.50
|
|
|
$2.35
|
|
|
$2.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOG-8
|
|
|
|
Módulos IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
- FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$163.73
-
23En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-3L400R10W3S7FB11
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
|
|
23En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
- FF600R12KE7EHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$193.34
-
26En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE7EHPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
|
|
26En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB50R140CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.59
-
856En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
856En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$4.59
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.38
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB011N04L G
- Infineon Technologies
-
1:
$3.94
-
1,764En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LG
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
1,764En existencias
|
|
|
$3.94
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
- IPB027N10N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$4.97
-
5,059En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
|
|
5,059En existencias
|
|
|
$4.97
|
|
|
$3.64
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
- IPD025N06NATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.07
-
7,219En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
|
|
7,219En existencias
|
|
|
$3.07
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.896
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.843
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IPD30N06S2L13ATMA4
- Infineon Technologies
-
1:
$1.57
-
4,148En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L13AT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
4,148En existencias
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.841
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.619
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.723
|
|
|
$0.605
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
- IPD60N10S412ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.18
-
4,547En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S412ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
|
|
4,547En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.905
|
|
|
$0.739
|
|
|
$0.567
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.682
|
|
|
$0.545
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
- IPD90N04S4L-04
- Infineon Technologies
-
1:
$1.61
-
4,344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
4,344En existencias
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.67
|
|
|
$0.529
|
|
|
$0.436
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.477
|
|
|
$0.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP019N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.67
-
1,296En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,296En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
- IPP65R045C7
- Infineon Technologies
-
1:
$9.89
-
763En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
|
|
763En existencias
|
|
|
$9.89
|
|
|
$7.74
|
|
|
$6.45
|
|
|
$5.74
|
|
|
Ver
|
|
|
$5.37
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT020N10N3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.50
-
1,507En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N3ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,507En existencias
|
|
|
$5.50
|
|
|
$3.39
|
|
|
$2.59
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPT044N15N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.91
-
3,872En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT044N15N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
3,872En existencias
|
|
|
$4.91
|
|
|
$3.56
|
|
|
$2.55
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$17.43
-
140En existencias
-
240En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ZA65R018CFD7XKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
140En existencias
240En pedido
|
|
|
$17.43
|
|
|
$10.85
|
|
|
$9.85
|
|
|
$9.84
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg
- IRFR48ZTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.59
-
7,470En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFR48ZTRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg
|
|
7,470En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.673
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.483
|
|
|
$0.445
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
- FF200R17KE4
- Infineon Technologies
-
1:
$137.70
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FF200R17KE4
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
|
|
30En existencias
|
|
|
$137.70
|
|
|
$114.54
|
|
|
$104.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
62 mm
|
|
|
|
IGBTs DISCRETES
- AIKW50N60CTXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.23
-
169En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIKW50N60CTXKSA1
|
Infineon Technologies
|
IGBTs DISCRETES
|
|
169En existencias
|
|
|
$8.23
|
|
|
$5.83
|
|
|
$5.39
|
|
|
$5.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- BSC050N10NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.64
-
15,497En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N10NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
15,497En existencias
|
|
|
$2.64
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.798
|
|
|
$0.797
|
|
|
$0.767
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB019N08N3GATMA1
- Infineon Technologies
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1:
$7.04
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1,335En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3GATMA
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1,335En existencias
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$7.04
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$4.74
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$3.59
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$2.80
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$2.69
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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TO-263-7
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