|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R099CP
- Infineon Technologies
-
1:
$8.29
-
1,030En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
1,030En existencias
|
|
|
$8.29
|
|
|
$5.52
|
|
|
$4.46
|
|
|
$4.13
|
|
|
$3.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2
- IPB65R150CFDAATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.27
-
1,000En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDAATM
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$5.27
|
|
|
$3.50
|
|
|
$2.50
|
|
|
$2.27
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.94
-
5,278En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K7C3AATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE
|
|
5,278En existencias
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.836
|
|
|
$0.672
|
|
|
$0.607
|
|
|
$0.578
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.70
-
918En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
918En existencias
|
|
|
$6.70
|
|
|
$4.39
|
|
|
$3.24
|
|
|
$2.87
|
|
|
$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R199CPATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.19
-
1,962En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
1,962En existencias
|
|
|
$4.19
|
|
|
$2.76
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP11N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$3.64
-
3,672En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
3,672En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.76
-
4,880En existencias
-
5,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,880En existencias
5,000En pedido
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.551
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.453
|
|
|
$0.426
|
|
|
$0.412
|
|
|
$0.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R900P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.08
-
19,641En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
19,641En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.672
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.339
|
|
|
$0.238
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.224
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R085P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.99
-
917En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
917En existencias
|
|
|
$5.99
|
|
|
$4.00
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.52
|
|
|
$2.35
|
|
|
$2.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
- IPL65R230C7
- Infineon Technologies
-
1:
$3.27
-
6,349En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R230C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
6,349En existencias
|
|
|
$3.27
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
- IPW65R110CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
$7.21
-
584En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
|
|
584En existencias
|
|
|
$7.21
|
|
|
$5.33
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.82
|
|
|
$3.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R450P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.03
-
3,193En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
3,193En existencias
|
|
|
$3.03
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.951
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP65R065C7
- Infineon Technologies
-
1:
$7.50
-
487En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R065C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
487En existencias
|
|
|
$7.50
|
|
|
$5.60
|
|
|
$4.53
|
|
|
$4.02
|
|
|
$3.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60R080G7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.12
-
1,800En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,800En existencias
|
|
|
$7.12
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.83
|
|
|
$3.41
|
|
|
$3.01
|
|
|
$3.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R099P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.07
-
1,327En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
1,327En existencias
|
|
|
$5.07
|
|
|
$2.99
|
|
|
$2.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPA60R125P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.18
-
864En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
864En existencias
|
|
|
$4.18
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD65R190C7
- Infineon Technologies
-
1:
$3.40
-
1,244En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,244En existencias
|
|
|
$3.40
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R070CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.65
-
3,281En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,281En existencias
|
|
|
$7.65
|
|
|
$5.09
|
|
|
$4.12
|
|
|
$3.65
|
|
|
$3.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.40
-
1,226En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,226En existencias
|
|
|
$10.40
|
|
|
$7.57
|
|
|
$6.31
|
|
|
$5.61
|
|
|
$5.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
- IPW65R095C7
- Infineon Technologies
-
1:
$5.82
-
897En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
|
|
897En existencias
|
|
|
$5.82
|
|
|
$4.66
|
|
|
$3.77
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
- IPW60R190P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.94
-
615En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
|
|
615En existencias
|
|
|
$3.94
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
- IPB60R099CPA
- Infineon Technologies
-
1:
$7.61
-
3,198En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
|
|
3,198En existencias
|
|
|
$7.61
|
|
|
$6.09
|
|
|
$4.93
|
|
|
$4.56
|
|
|
$3.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.72
-
8,720En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
8,720En existencias
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.725
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.447
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.427
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R105P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.14
-
5,894En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
5,894En existencias
|
|
|
$5.14
|
|
|
$3.37
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.05
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.91
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPL60R180P6AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.58
-
3,881En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
3,881En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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VSON-4
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