|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R060C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.02
-
1,057En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,057En existencias
|
|
|
$8.02
|
|
|
$5.87
|
|
|
$4.31
|
|
|
$4.10
|
|
|
$3.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R060P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.35
-
1,684En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,684En existencias
|
|
|
$6.35
|
|
|
$4.25
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R080P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.68
-
1,531En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,531En existencias
|
|
|
$5.68
|
|
|
$3.70
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.25
|
|
|
$2.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R099C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.68
-
1,941En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,941En existencias
|
|
|
$6.68
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R099P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.86
-
1,235En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,235En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$4.86
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.49
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R120P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.11
-
6,345En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
6,345En existencias
|
|
|
$4.11
|
|
|
$2.69
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
- IPB60R160P6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.00
-
4,037En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
|
|
4,037En existencias
|
|
|
$4.00
|
|
|
$2.62
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPB60R280P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.65
-
6,898En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
6,898En existencias
|
|
|
$2.65
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.785
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.35
-
702En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
702En existencias
|
|
|
$8.35
|
|
|
$6.69
|
|
|
$5.41
|
|
|
$4.95
|
|
|
$4.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB65R095C7ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$6.81
-
1,097En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,097En existencias
|
|
|
$6.81
|
|
|
$4.57
|
|
|
$3.30
|
|
|
$2.99
|
|
|
$2.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
- IPB65R110CFDAATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.10
-
564En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDAATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
|
|
564En existencias
|
|
|
$7.10
|
|
|
$4.64
|
|
|
$3.46
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
- IPB65R310CFDAATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.30
-
2,513En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDAATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
|
|
2,513En existencias
|
|
|
$3.30
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R280CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.95
-
8,868En existencias
-
2,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
8,868En existencias
2,500En pedido
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.834
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.607
|
|
|
$0.544
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R380CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.63
-
3,979En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,979En existencias
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.686
|
|
|
$0.538
|
|
|
$0.491
|
|
|
$0.412
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD60R170CFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.19
-
3,806En existencias
-
2,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,806En existencias
2,500En pedido
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
- IPD65R225C7
- Infineon Technologies
-
1:
$3.05
-
2,674En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
|
|
2,674En existencias
|
|
|
$3.05
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.03
|
|
|
$1.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.13
-
4,948En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,948En existencias
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN50R2K0CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.60
-
12,379En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
12,379En existencias
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.25
|
|
|
$0.213
|
|
|
$0.152
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.191
|
|
|
$0.139
|
|
|
$0.135
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R040C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.39
-
364En existencias
-
500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
364En existencias
500En pedido
|
|
|
$10.39
|
|
|
$5.81
|
|
|
$5.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R060C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.47
-
589En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
589En existencias
|
|
|
$7.47
|
|
|
$5.98
|
|
|
$4.93
|
|
|
$4.19
|
|
|
$3.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPP60R190P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.06
-
7,737En existencias
-
1,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
7,737En existencias
1,500En pedido
|
|
|
$3.06
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
- IPP65R045C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.13
-
284En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
|
|
284En existencias
|
|
|
$10.13
|
|
|
$5.65
|
|
|
$5.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R041P6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.84
-
311En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6FKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
311En existencias
|
|
|
$9.84
|
|
|
$5.83
|
|
|
$5.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
- IPW60R045CPA
- Infineon Technologies
-
1:
$16.32
-
344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
|
|
344En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPDQ60R045CFD7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.14
-
73En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
73En existencias
|
|
|
$9.14
|
|
|
$6.45
|
|
|
$5.37
|
|
|
$4.79
|
|
|
$4.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
|