|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC110N06NS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.43
-
79,850En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
79,850En existencias
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.896
|
|
|
$0.595
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.388
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.423
|
|
|
$0.388
|
|
|
$0.386
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC076N06NS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.83
-
3,511En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
3,511En existencias
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.774
|
|
|
$0.635
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.504
|
|
|
$0.556
|
|
|
$0.511
|
|
|
$0.504
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection
- PE4536C2A-AU_R1_007A1
- Panjit
-
1:
$0.45
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
241-PE4536C2AAUR17A1
Nuevo producto
|
Panjit
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
|
$0.45
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.173
|
|
|
$0.134
|
|
|
$0.096
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.115
|
|
|
$0.09
|
|
|
$0.082
|
|
|
$0.074
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
SC-59-3 (SOT-23-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
- PSMN069-100YS,115
- Nexperia
-
1:
$1.01
-
6,755En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PSMN069-100YS115
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
|
|
6,755En existencias
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.633
|
|
|
$0.46
|
|
|
$0.361
|
|
|
$0.279
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.248
|
|
|
$0.235
|
|
|
$0.232
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-669-5
|
|
|
|
Módulos IGBT 1700 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R17ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$205.56
-
11En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF450R17ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1700 V, 450 A dual IGBT module
|
|
11En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
- IPA032N06N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$3.90
-
401En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA032N06N3G
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
|
|
401En existencias
|
|
|
$3.90
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
- BSZ100N06LS3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.76
-
10,205En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06LS3GATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
|
|
10,205En existencias
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.754
|
|
|
$0.594
|
|
|
$0.477
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.471
|
|
|
$0.449
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC076N06NS3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.82
-
4,136En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3GATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
4,136En existencias
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.775
|
|
|
$0.612
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.504
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC100N06LS3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.74
-
22,178En existencias
-
35,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N06LS3GATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
22,178En existencias
35,000En pedido
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.734
|
|
|
$0.578
|
|
|
$0.519
|
|
|
$0.471
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
- BSZ100N06LS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.63
-
6,245En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06LS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
|
|
6,245En existencias
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.689
|
|
|
$0.565
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.449
|
|
|
$0.495
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.449
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC028N06LS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$3.24
-
18,431En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06LS3G
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
18,431En existencias
|
|
|
$3.24
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC110N06NS3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.47
-
20,294En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3GATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
20,294En existencias
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.931
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.511
|
|
|
$0.373
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.427
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.326
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC100N06LS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.71
-
5,392En existencias
-
39,300En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N06LS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
5,392En existencias
39,300En pedido
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.723
|
|
|
$0.592
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.471
|
|
|
$0.519
|
|
|
$0.504
|
|
|
$0.471
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC028N06LS3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.35
-
7,212En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06LS3GATM
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
7,212En existencias
|
|
|
$3.35
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
- BSZ110N06NS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.38
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N06NS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
|
|
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.574
|
|
|
$0.447
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.316
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1061 60V 3A PNP BJT
- PBSS5360PAS-QX
- Nexperia
-
1:
$0.76
-
|
N.º de artículo de Mouser
771-PBSS5360PAS-QX
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1061 60V 3A PNP BJT
|
|
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.473
|
|
|
$0.342
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.221
|
|
|
$0.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DFN-2020D-3
|
|