|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
- STW40N95DK5
- STMicroelectronics
-
1:
$15.28
-
692En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
|
|
692En existencias
|
|
|
$15.28
|
|
|
$9.36
|
|
|
$9.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
- STW48NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$9.25
-
1,042En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
|
|
1,042En existencias
|
|
|
$9.25
|
|
|
$5.43
|
|
|
$4.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
- STW57N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$10.60
-
496En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
|
|
496En existencias
|
|
|
$10.60
|
|
|
$6.71
|
|
|
$5.43
|
|
|
$5.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
- STW7N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$6.93
-
574En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
|
|
574En existencias
|
|
|
$6.93
|
|
|
$3.88
|
|
|
$3.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
- STWA20N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.49
-
623En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA20N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
|
|
623En existencias
|
|
|
$7.49
|
|
|
$4.58
|
|
|
$3.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
- STWA75N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$10.39
-
492En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
|
|
492En existencias
|
|
|
$10.39
|
|
|
$6.26
|
|
|
$5.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
- STY105NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$25.10
-
186En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
|
|
186En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
- STB36NF06LT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.12
-
1,248En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB36NF06LT4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
|
|
1,248En existencias
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.36
|
|
|
$0.917
|
|
|
$0.731
|
|
|
$0.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
- STP80NF55-06
- STMicroelectronics
-
1:
$2.78
-
1,478En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF55-06
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
|
|
1,478En existencias
|
|
|
$2.78
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.943
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
- STP11NM60FDFP
- STMicroelectronics
-
1:
$3.97
-
537En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
|
|
537En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
- STL4N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$0.98
-
823En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
|
|
823En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.398
|
|
|
$0.307
|
|
|
$0.271
|
|
|
$0.233
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-3.3x3.3-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STB12N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.38
-
204En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
204En existencias
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
- STGB40V60F
- STMicroelectronics
-
1:
$3.71
-
74En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB40V60F
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
|
|
74En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
- STL10LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.01
-
923En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL10LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
|
|
923En existencias
|
|
|
$4.01
|
|
|
$2.63
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-VHV-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
- STU6N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.61
-
45En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
|
|
45En existencias
|
|
|
$1.61
|
|
|
$0.835
|
|
|
$0.622
|
|
|
$0.518
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.431
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
- SCT019HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.08
-
5En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
|
|
5En existencias
|
|
|
$20.08
|
|
|
$16.52
|
|
|
$14.29
|
|
|
$12.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
SiC MOSFETS
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
- STL52DN4LF7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.00
-
2,805En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL52DN4LF7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
|
|
2,805En existencias
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.915
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.772
|
|
|
$0.479
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-4
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
- STGP8M120DF3
- STMicroelectronics
-
1:
$5.29
-
178En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP8M120DF3
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
|
|
178En existencias
|
|
|
$5.29
|
|
|
$3.52
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
- STP16N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.84
-
251En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
|
|
251En existencias
|
|
|
$2.84
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.948
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
- STL64DN4F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.16
-
579En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL64DN4F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
|
|
579En existencias
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.957
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.678
|
|
|
$0.645
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
- STB14NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.89
-
589En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
|
|
589En existencias
|
|
|
$4.89
|
|
|
$3.25
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.18
|
|
|
$2.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
- STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.61
-
1,535En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB4NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
|
|
1,535En existencias
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.942
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF12N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.34
-
1,053En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
1,053En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.848
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.752
|
|
|
$0.735
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FP-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
- STF13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$7.27
-
966En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
|
|
966En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$3.71
|
|
|
$3.53
|
|
|
$3.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
- STFU18N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.14
-
978En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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978En existencias
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$3.14
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$1.57
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$1.42
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$1.15
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$1.12
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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