|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
- STFU26N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.55
-
922En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFU26N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
|
|
922En existencias
|
|
|
$3.55
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
- STI13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$2.70
-
913En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
|
|
913En existencias
|
|
|
$2.70
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.979
|
|
|
$0.848
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-262-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
- STGW50H65DFB2-4
- STMicroelectronics
-
1:
$5.30
-
564En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW50H65DFB2-4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
|
|
564En existencias
|
|
|
$5.30
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
$1.69
-
677En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
677En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.944
|
|
|
$0.908
|
|
|
$0.847
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.879
|
|
|
$0.819
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
DPAK-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- ST8L60N065DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.48
-
234En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
234En existencias
|
|
|
$6.48
|
|
|
$4.44
|
|
|
$3.25
|
|
|
$3.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
- ST8L65N044M9
- STMicroelectronics
-
1:
$7.70
-
225En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
225En existencias
|
|
|
$7.70
|
|
|
$5.25
|
|
|
$4.01
|
|
|
$3.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STF80N240K6
- STMicroelectronics
-
1:
$5.94
-
1,017En existencias
-
1,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
1,017En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$5.94
|
|
|
$4.49
|
|
|
$3.62
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FP-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$172.50
-
110En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
110En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
- A2TBH45M65W3-FC
- STMicroelectronics
-
1:
$79.24
-
36En existencias
-
18En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-A2TBH45M65W3-FC
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
|
|
36En existencias
18En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Press Fit
|
ACEPACK
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
- A2U8M12W3-FC
- STMicroelectronics
-
1:
$210.38
-
18En existencias
-
18En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-A2U8M12W3-FC
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
|
|
18En existencias
18En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
56.7 mm x 48 mm
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
- M1P45M12W2-1LA
- STMicroelectronics
-
1:
$56.30
-
122En existencias
-
125En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-M1P45M12W2-1LA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
|
|
122En existencias
125En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
ACEPACK DMT-32
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
- SCT012W90G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.74
-
637En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT012W90G3-4AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
|
|
637En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
- SCT016H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$23.31
-
817En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT016H120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
|
|
817En existencias
|
|
|
$23.31
|
|
|
$16.87
|
|
|
$16.84
|
|
|
$16.83
|
|
|
$15.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
- SCT020HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.51
-
436En existencias
-
600En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT020HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
|
|
436En existencias
600En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
- SCT027H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.67
-
1,068En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT027H65G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
|
|
1,068En existencias
|
|
|
$12.67
|
|
|
$8.88
|
|
|
$7.72
|
|
|
$7.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
- SCT040HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$13.51
-
617En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
|
|
617En existencias
|
|
|
$13.51
|
|
|
$9.46
|
|
|
$8.34
|
|
|
$8.18
|
|
|
$7.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
- SCT055TO65G3
- STMicroelectronics
-
1:
$8.53
-
1,764En existencias
-
1,799En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
|
|
1,764En existencias
1,799En pedido
|
|
|
$8.53
|
|
|
$5.85
|
|
|
$5.16
|
|
|
$4.69
|
|
|
$4.29
|
|
|
$4.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TOLL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
- STGIPNS4C60T-H
- STMicroelectronics
-
1:
$8.86
-
450En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPNS4C60T-H
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
|
|
450En existencias
|
|
|
$8.86
|
|
|
$6.06
|
|
|
$4.90
|
|
|
$4.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
400
|
|
IGBTs
|
Si
|
SMD/SMT
|
NSDIP-26
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STH65N050DM9-7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$9.00
-
995En existencias
-
1,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
995En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$9.00
|
|
|
$6.17
|
|
|
$4.91
|
|
|
$4.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
- STIB1560DM2-Z
- STMicroelectronics
-
1:
$17.43
-
157En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STIB1560DM2-Z
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
|
|
157En existencias
|
|
|
$17.43
|
|
|
$12.93
|
|
|
$12.92
|
|
|
$11.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Press Fit
|
SDIP2B-26
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
- STL165N4F8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.04
-
3,047En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL165N4F8AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
3,047En existencias
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.882
|
|
|
$0.701
|
|
|
$0.649
|
|
|
$0.618
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
- STL300N4F8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.59
-
5,946En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL300N4F8
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
|
|
5,946En existencias
|
|
|
$2.59
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.919
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.856
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
- STO450N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$5.79
-
1,795En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
|
|
1,795En existencias
|
|
|
$5.79
|
|
|
$4.24
|
|
|
$3.07
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
- M1F45M12W2-1LA
- STMicroelectronics
-
1:
$49.25
-
519En existencias
-
528En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-M1F45M12W2-1LA
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
|
|
519En existencias
528En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
- STD9NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$2.67
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2,141En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM60N
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
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2,141En existencias
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$2.67
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$1.39
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$1.12
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$1.12
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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DPAK-3 (TO-252-3)
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N-Channel
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