STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5 Dual N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
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1,962En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2,487En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
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2,461En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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223En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
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913En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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2,258En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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922En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
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677En existencias
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GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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234En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
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225En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
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1,017En existencias
1,000En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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110En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
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2,316En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
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MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
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18En existencias
18En pedido
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MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
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122En existencias
125En pedido
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MOSFET Modules SiC Press Fit ACEPACK DMT-32
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
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637En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
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817En existencias
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: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
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436En existencias
600En pedido
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: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
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1,068En existencias
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: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
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617En existencias
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: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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1,764En existencias
1,799En pedido
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: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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: 400

IGBTs Si SMD/SMT NSDIP-26