|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT040W65G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.54
-
638En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4AG
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
638En existencias
|
|
|
$12.54
|
|
|
$9.15
|
|
|
$7.43
|
|
|
$7.42
|
|
|
$7.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.64
-
303En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4AG
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
303En existencias
|
|
|
$12.64
|
|
|
$10.41
|
|
|
$7.99
|
|
|
$7.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
HiP-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$25.10
-
186En existencias
-
200En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH63N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
186En existencias
200En pedido
|
|
|
$25.10
|
|
|
$19.29
|
|
|
$12.60
|
|
|
$12.60
|
|
|
$12.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ACEPACK SMIT-9
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$19.06
-
185En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
185En existencias
|
|
|
$19.06
|
|
|
$13.62
|
|
|
$12.15
|
|
|
$12.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
- STGIK10M120T
- STMicroelectronics
-
1:
$42.88
-
63En existencias
-
44En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
|
|
63En existencias
44En pedido
|
|
|
$42.88
|
|
|
$37.81
|
|
|
$33.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
SDIPHP-30
|
|
|
|
|
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
- STGSH80HB65DAG
- STMicroelectronics
-
1:
$19.41
-
189En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGSH80HB65DAG
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
|
|
189En existencias
|
|
|
$19.41
|
|
|
$13.88
|
|
|
$12.43
|
|
|
$12.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
ACEPACK-5
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
- STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.01
-
461En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
|
|
461En existencias
|
|
|
$12.01
|
|
|
$9.73
|
|
|
$8.11
|
|
|
$7.37
|
|
|
$6.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STH60N099DM9-2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$5.83
-
2,142En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH60N099DM9-2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
2,142En existencias
|
|
|
$5.83
|
|
|
$3.91
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
- STL120N10F8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.59
-
4,720En existencias
-
3,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL120N10F8
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
|
|
4,720En existencias
3,000En pedido
|
|
|
$2.59
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.918
|
|
|
$0.858
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
- STL160N10F8
- STMicroelectronics
-
1:
$3.26
-
2,835En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL160N10F8
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
2,835En existencias
|
|
|
$3.26
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
- STL165N10F8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$4.05
-
1,774En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL165N10F8AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
1,774En existencias
|
|
|
$4.05
|
|
|
$2.48
|
|
|
$2.18
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
- STL300N4LF8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
2,767En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL300N4LF8
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
|
|
2,767En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.985
|
|
|
$0.932
|
|
|
$0.853
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
- STL325N4F8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.26
-
2,534En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4F8AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
2,534En existencias
|
|
|
$3.26
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
- STL325N4LF8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.63
-
3,968En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
|
|
3,968En existencias
|
|
|
$2.63
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$17.23
-
522En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
522En existencias
|
|
|
$17.23
|
|
|
$10.85
|
|
|
$10.84
|
|
|
$10.83
|
|
|
$9.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N045M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$9.73
-
580En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
580En existencias
|
|
|
$9.73
|
|
|
$5.81
|
|
|
$5.80
|
|
|
$5.23
|
|
|
$4.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STWA65N023M9
- STMicroelectronics
-
1:
$14.64
-
344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N023M9
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
344En existencias
|
|
|
$14.64
|
|
|
$8.95
|
|
|
$8.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STWA65N045M9
- STMicroelectronics
-
1:
$9.53
-
1,195En existencias
-
1,200En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N045M9
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
1,195En existencias
1,200En pedido
|
|
|
$9.53
|
|
|
$5.62
|
|
|
$4.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
- STF10N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.71
-
976En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF10N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
|
|
976En existencias
|
|
|
$2.71
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.983
|
|
|
$0.851
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
- STGIPQ5C60T-HLS
- STMicroelectronics
-
1:
$8.81
-
258En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPQ5C60T-HLS
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
|
|
258En existencias
|
|
|
$8.81
|
|
|
$6.41
|
|
|
$4.62
|
|
|
$4.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
- STO36N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$6.03
-
482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STO36N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
|
|
482En existencias
|
|
|
$6.03
|
|
|
$4.04
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.70
|
|
|
$2.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
- STW35N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.52
-
382En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
|
|
382En existencias
|
|
|
$5.52
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
- STF25N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
1:
$3.36
-
841En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF25N60M2-EP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
|
|
841En existencias
|
|
|
$3.36
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
- STF4N62K3
- STMicroelectronics
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1:
$2.95
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963En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STF4N62K3
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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963En existencias
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$2.95
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$1.09
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$1.05
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$1.02
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
- STGWF30NC60S
- STMicroelectronics
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1:
$5.05
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492En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STGWF30NC60S
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STMicroelectronics
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IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
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492En existencias
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$5.05
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$3.35
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$2.09
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBT Transistors
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Si
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Through Hole
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TO-3PF
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