STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 40 Amp
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power Bipolar Transistors
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4,000Se espera el 27/4/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 PNP
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel