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OptiMOS 3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 219

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 3

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.87
9,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9,890En existencias

Cinta cortada

$1.87

$0.884

$0.661

$0.56

Ver

Envase tipo carrete

$0.479

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1: $5.25
996En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP041N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

996En existencias

1,000En pedido

$5.25

$3.49

$2.83

$2.50

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

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- 20 V, 20 V

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211 nC

- 55 C

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

IPP075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.87
1,699En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP075N15N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP075N15N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,699En existencias

2,000En pedido

$3.87

$1.60

$1.49

$1.40

$1.34

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

IPP147N12N3 G
Infineon Technologies
1: $1.95
2,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP147N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP147N12N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

2,719En existencias

$1.95

$0.943

$0.844

$0.635

Ver

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

56 A

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- 20 V, 20 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $3.91
1,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB039N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,925En existencias

Cinta cortada

$3.91

$2.49

$1.85

$1.61

Envase tipo carrete

$1.32

$1.31

MouseReel Disponible

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

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- 20 V, 20 V

2 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N3
Infineon Technologies
1: $5.11
1,993En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N10N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

1,993En existencias

Cinta cortada

$5.11

$3.40

$2.75

$2.44

Envase tipo carrete

$2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042N03LS G
Infineon Technologies
1: $1.41
6,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

6,621En existencias

Cinta cortada

$1.41

$0.886

$0.588

$0.46

Envase tipo carrete

$0.335

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

93 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

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+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.83
3,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC076N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,391En existencias

Cinta cortada

$1.83

$1.17

$0.774

$0.635

Envase tipo carrete

$0.504

Ver

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.12
49,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ440N10NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

49,586En existencias

Cinta cortada

$1.12

$0.737

$0.485

$0.376

Envase tipo carrete

$0.271

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.62
870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

870En existencias

Cinta cortada

$2.62

$1.70

$1.16

$0.933

Envase tipo carrete

$0.833

$0.762

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC059N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.21
5,036En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC059N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,036En existencias

Cinta cortada

$1.21

$0.754

$0.496

$0.394

Envase tipo carrete

$0.296

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

73 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1: $9.86
3,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

3,837En existencias

Cinta cortada

$9.86

$7.48

$6.23

$5.55

Envase tipo carrete

$5.19

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1: $5.63
5,578En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,578En existencias

Cinta cortada

$5.63

$3.62

$2.81

$2.47

Envase tipo carrete

$2.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB038N12N3 G
Infineon Technologies
1: $4.76
4,846En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB038N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB038N12N3GXT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,846En existencias

Cinta cortada

$4.76

$3.40

$2.75

$2.45

Envase tipo carrete

$2.16

$2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB065N15N3 G
Infineon Technologies
1: $5.44
2,822En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB065N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB065N15N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,822En existencias

Cinta cortada

$5.44

$4.42

$3.86

$3.61

Envase tipo carrete

$3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

130 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1: $2.78
879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

879En existencias

Cinta cortada

$2.78

$1.78

$1.21

$1.04

Envase tipo carrete

$0.88

$0.872

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

IPI045N10N3 G
Infineon Technologies
1: $4.25
753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI045N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPI045N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

753En existencias

Más información disponible

$4.25

$2.79

$2.13

$1.80

$1.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
1: $1.03
6,051En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

6,051En existencias

Cinta cortada

$1.03

$0.638

$0.416

$0.32

Envase tipo carrete

$0.232

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

IPP034NE7N3 G
Infineon Technologies
1: $4.24
785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034NE7N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034NE7N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

785En existencias

$4.24

$2.18

$1.98

$1.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

75 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

IPP111N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: $4.35
656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP111N15N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

656En existencias

$4.35

$2.24

$1.97

$1.67

$1.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.72
16,192En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

16,192En existencias

Cinta cortada

$2.72

$1.74

$1.19

$0.987

Envase tipo carrete

$0.855

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3GATMA1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

10.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

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TDSON-8

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200 V

36 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC600N25NS3GATMA1
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SMD/SMT

TDSON-8

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OptiMOS 3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

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Recursos

Soporte

5 A
7 A
10.9 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
29 A
30 A
33 A
34 A
35 A
36 A
37 A
39 A

800 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms

5.5 nC
5.6 nC
6.4 nC
6.8 nC
7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
11.4 nC
11.6 nC
12 nC
13.2 nC
14.4 nC
15 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
29 W
31 W
32 W
33.8 W
34 W
35 W
37.5 W
38 W
39 W
41 W
42 W
47 W
50 W
56 W
57 W
60 W