OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 794
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 571En existencias
4,900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 68 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 2,482En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 74 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 4,333En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 11.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 1,971En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 155 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 14,783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 5,770En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 13.7 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 39 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 26,743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 4,407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS 6,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 153 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 10,250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 6,251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M 7,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 10,772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 14,713En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8-3 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 4,968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 83 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8 6,108En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 25 V 40 A 3.7 mOhms, 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 3 nC, 8.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T 3,124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 9,968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 9,541En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 4,583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 3.8 mOhms, 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC, 18.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 9,366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 82 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 3,859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8-43 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 73.7 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V) 9,700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 3.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS 2,981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel