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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 794

Filtros aplicados:

Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.74
14,783En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD25CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD25CN10NGATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

14,783En existencias

Cinta cortada

$1.74

$1.11

$0.74

$0.584

$0.533

Envase tipo carrete

$0.495

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V,300V)

IPD70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.84
14,650En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N12S311ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N12S311ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V,300V)

Hoja de datos

14,650En existencias

Cinta cortada

$2.84

$1.78

$1.27

$1.04

$0.971

Envase tipo carrete

$0.971

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

70 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-04
Infineon Technologies
1: $2.99
1,735En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

1,735En existencias

Cinta cortada

$2.99

$2.94

Envase tipo carrete

$1.04

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies
1: $2.39
5,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L14AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

5,725En existencias

Cinta cortada

$2.39

$1.51

$1.01

$0.813

Ver

Envase tipo carrete

$0.658

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

13.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LS
Infineon Technologies
1: $2.43
26,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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Hoja de datos

26,374En existencias

Cinta cortada

$2.43

$1.56

$1.06

$0.881

Ver

Envase tipo carrete

$0.763

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: $1.92
4,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ017NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ017NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

4,407En existencias

Cinta cortada

$1.92

$1.23

$0.822

$0.651

Ver

Envase tipo carrete

$0.544

Min.: 1
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TSDSON-8

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1 Channel

25 V

40 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1: $1.62
6,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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6,250En existencias

Cinta cortada

$1.62

$1.03

$0.684

$0.538

Ver

Envase tipo carrete

$0.448

MouseReel Disponible

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TSDSON-8

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1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.34
10,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

10,250En existencias

Cinta cortada

$1.34

$1.09

$0.945

$0.864

Ver

Envase tipo carrete

$0.696

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.18
10,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Hoja de datos

10,772En existencias

Cinta cortada

$2.18

$1.39

$0.922

$0.753

Ver

Envase tipo carrete

$0.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.30
14,713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

14,713En existencias

Cinta cortada

$1.30

$0.817

$0.54

$0.421

Ver

Envase tipo carrete

$0.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.42
4,960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD050N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

4,960En existencias

Cinta cortada

$1.42

$0.674

$0.516

$0.438

$0.374

Envase tipo carrete

$0.373

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1: $4.88
864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP111N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

864En existencias

$4.88

$3.19

$2.50

$2.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

BSC0911NDATMA1
Infineon Technologies
1: $2.30
6,108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0911NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000934746

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

Hoja de datos

6,108En existencias

Cinta cortada

$2.30

$1.47

$1.01

$0.80

Ver

Envase tipo carrete

$0.726

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A

3.7 mOhms, 1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

3 nC, 8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.76
12,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

12,917En existencias

Cinta cortada

$2.76

$1.77

$1.22

$0.979

Ver

Envase tipo carrete

$0.823

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC050N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.39
5,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,126En existencias

Cinta cortada

$1.39

$0.854

$0.563

$0.442

Envase tipo carrete

$0.296

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.70
23,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFGATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

23,987En existencias

Cinta cortada

$1.70

$1.09

$0.724

$0.571

Ver

Envase tipo carrete

$0.482

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.42
6,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ031NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

6,913En existencias

Cinta cortada

$1.42

$0.89

$0.594

$0.464

Ver

Envase tipo carrete

$0.373

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.17
77,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

77,299En existencias

Cinta cortada

$1.17

$0.732

$0.482

$0.382

Envase tipo carrete

$0.311

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB031N08N5
Infineon Technologies
1: $3.86
1,305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB031N08N5

N.º de artículo de Mouser
726-IPB031N08N5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Hoja de datos

1,305En existencias

Cinta cortada

$3.86

$2.53

$1.86

$1.69

Envase tipo carrete

$1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.91
19,403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD122N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD122N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

19,403En existencias

Cinta cortada

$1.91

$1.04

$0.811

$0.665

$0.646

Envase tipo carrete

$0.646

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.73
14,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

14,309En existencias

Cinta cortada

$2.73

$1.76

$1.21

$0.918

Envase tipo carrete

$0.918

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-4

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

650 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

28.5 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3GATMA1
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

IPG20N06S4L11AATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

11.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
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IPB70N04S4-06

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726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W