|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
- IAUCN08S7N045TATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.93
-
5,359En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
|
|
5,359En existencias
|
|
|
$2.93
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.913
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.977
|
|
|
$0.884
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-LHDSO-10-1
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
103 A
|
4.54 mOhms
|
20 V
|
3.2 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
98 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUCN10S7L040ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.36
-
3,432En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
3,432En existencias
|
|
|
$3.36
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
130 A
|
3.3 mOhms
|
16 V
|
2 V
|
44.3 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
118 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
- IAUTN15S6N025GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.55
-
1,445En existencias
-
1,800En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025GAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
|
|
1,445En existencias
1,800En pedido
|
|
|
$8.55
|
|
|
$6.16
|
|
|
$5.38
|
|
|
$5.30
|
|
|
$5.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HSOG-8-1
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
245 A
|
2.5 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
107 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
- IAUTN15S6N038ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.12
-
3,612En existencias
-
2,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
|
|
3,612En existencias
2,000En pedido
|
|
|
$6.12
|
|
|
$4.34
|
|
|
$3.76
|
|
|
$3.66
|
|
|
$3.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8-1
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
170 A
|
3.8 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
107 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
263 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)
- IAUTN15S6N038GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.86
-
1,568En existencias
-
1,800En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038GAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)
|
|
1,568En existencias
1,800En pedido
|
|
|
$6.86
|
|
|
$4.90
|
|
|
$4.26
|
|
|
$4.16
|
|
|
$4.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HSOG-8-1
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
170 A
|
3.8 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
263 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
- IAUTN15S6N038TATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.03
-
1,605En existencias
-
1,800En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038TAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
|
|
1,605En existencias
1,800En pedido
|
|
|
$7.03
|
|
|
$5.02
|
|
|
$4.37
|
|
|
$4.27
|
|
|
$4.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-16-1
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
170 A
|
3.8 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN04S7L012ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.81
-
5,213En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L012ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
5,213En existencias
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.769
|
|
|
$0.661
|
|
|
$0.505
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.556
|
|
|
$0.499
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
199 A
|
1.25 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN04S7L025ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.40
-
5,380En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L025ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
5,380En existencias
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.878
|
|
|
$0.581
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.371
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.412
|
|
|
$0.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
117 A
|
2.56 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
23 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
65 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN04S7L030ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.33
-
10,000En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L030ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
10,000En existencias
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.836
|
|
|
$0.552
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.338
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.359
|
|
|
$0.358
|
|
|
$0.321
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
100 A
|
3.05 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
18 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
58 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN08S7N046ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.49
-
3,800En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7N046ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
3,800En existencias
|
|
|
$2.49
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.867
|
|
|
$0.762
|
|
|
$0.711
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
99 A
|
4.6 mOhms
|
20 V
|
3.2 V
|
27.2 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN10S7L289ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.38
-
4,350En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7L289ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
4,350En existencias
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.447
|
|
|
$0.346
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.374
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
27 A
|
28.9 mOhms
|
16 V
|
2 V
|
10.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
45 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN10S7N078ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
3,193En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7N078ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
3,193En existencias
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.48
|
|
|
$0.997
|
|
|
$0.795
|
|
|
$0.703
|
|
|
$0.669
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
76 A
|
7.8 mOhms
|
20 V
|
3.2 V
|
22.2 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
- IPB014N08NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.23
-
800En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
|
|
800En existencias
|
|
|
$7.23
|
|
|
$5.34
|
|
|
$4.32
|
|
|
$3.84
|
|
|
$3.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
- IPF011N08NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.03
-
800En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
|
|
800En existencias
|
|
|
$8.03
|
|
|
$5.47
|
|
|
$4.10
|
|
|
$4.00
|
|
|
$3.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
- IPT009N08NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.67
-
2,002En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N08NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
|
|
2,002En existencias
|
|
|
$10.67
|
|
|
$7.33
|
|
|
$5.92
|
|
|
$5.38
|
|
|
$4.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
- IQE018N06NM6SCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.73
-
4,190En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE018N06NM6SCAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
|
|
4,190En existencias
|
|
|
$3.73
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.44
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
178 mA
|
2.2 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 mW
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
- IQE031N08LM6CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.53
-
5,358En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
|
|
5,358En existencias
|
|
|
$2.53
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
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5,000
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Si
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SMD/SMT
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PG-TTFN-9
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N-Channel
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1 Channel
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80 V
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127 A
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3.15 mOhms
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20 V
|
2.3 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
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125 W
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Enhancement
|
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OptiMOS
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Reel, Cut Tape
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.39
-
6,160En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGSC
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
|
|
6,160En existencias
|
|
|
$3.39
|
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$2.34
|
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$2.00
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$1.93
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$1.90
|
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|
$1.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-WHTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
127 A
|
3.15 mOhms
|
20 V
|
2.3 V
|
26 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.42
-
4,730En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7UCGS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
|
|
4,730En existencias
|
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$3.42
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$2.23
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$1.55
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$1.29
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Ver
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$1.15
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$1.24
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$1.23
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$1.15
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Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
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|
Si
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SMD/SMT
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N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
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298 A
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500 uOhms
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16 V
|
2 V
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27 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
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Enhancement
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|
OptiMOS
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Reel, Cut Tape
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH68NE2LM7UCGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.92
-
4,478En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQEH68NE2LM7UCGA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
|
|
4,478En existencias
|
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$2.92
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$1.89
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$1.30
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$1.06
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Ver
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$0.926
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$0.979
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$0.972
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$0.926
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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Si
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SMD/SMT
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N-Channel
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1 Channel
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25 V
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338 A
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16 V
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2 V
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22 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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130 W
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Enhancement
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OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.72
-
5,189En existencias
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|
N.º de artículo de Mouser
726-IQEH80NE2LM7UCGS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
|
|
5,189En existencias
|
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$2.72
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$1.75
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$1.21
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$0.962
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$0.887
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$0.841
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Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
282 A
|
800 uOhms
|
16 V
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2 V
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17.2 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
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107 W
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Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
- IQEH84NE2LM7UCGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.57
-
4,472En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
|
|
4,472En existencias
|
|
|
$2.57
|
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$1.65
|
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$1.13
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$0.897
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Ver
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$0.774
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$0.813
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|
$0.774
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
275 A
|
840 uOhms
|
16 V
|
2 V
|
17.2 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
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107 W
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Enhancement
|
|
OptiMOS
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Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
- ISC009N06NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.67
-
3,392En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
|
|
3,392En existencias
|
|
|
$3.67
|
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$2.54
|
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$2.17
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$2.10
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Ver
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$1.81
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$2.04
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$1.98
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|
$1.81
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
344 A
|
900 uOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
97 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
221 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
- ISC011N04NM7VATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
4,173En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC011N04NM7VATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
|
|
4,173En existencias
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.801
|
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|
$0.735
|
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|
$0.699
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
256 A
|
1.05 mOhms
|
20 V
|
3.15 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
136 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
- ISC019N08NM7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.88
-
2,699En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N08NM7ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
|
|
2,699En existencias
|
|
|
$3.88
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
209 A
|
1.9 mOhms
|
20 V
|
3.2 V
|
60 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
188 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
