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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- VN2460N3-G-P014
- Microchip Technology
-
1:
$1.61
-
3,309En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN2460N3-G-P014
|
Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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3,309En existencias
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$1.61
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$1.34
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$1.22
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$1.01
|
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$1.01
|
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$1.00
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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MOSFETs
|
Si
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Through Hole
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TO-92-3
|
N-Channel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20Ohm
- VN2460N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.54
-
3,919En existencias
-
6,070En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN2460N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20Ohm
|
|
3,919En existencias
6,070En pedido
|
|
|
$1.54
|
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|
$1.28
|
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|
$1.15
|
|
|
$1.15
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
N-Channel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20Ohm
- VN2460N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.50
-
726En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN2460N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20Ohm
|
|
726En existencias
|
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|
$1.50
|
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|
$1.25
|
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$1.13
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|
Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
|
Si
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Through Hole
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TO-92-3
|
N-Channel
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 32A
- BUK9M24-60EX
- Nexperia
-
1:
$1.24
-
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK9M24-60EX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 32A
|
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|
|
$1.24
|
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$0.768
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$0.506
|
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$0.397
|
|
|
$0.34
|
|
|
$0.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
LFPAK-33-8
|
N-Channel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- VN2460N3-G-P003
- Microchip Technology
-
2,000:
$0.72
-
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN2460N3-G-P003
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
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Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ2460_R1_00001
- Panjit
-
1:
$0.67
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJQ2460_R1_00001
|
Panjit
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
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|
$0.67
|
|
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$0.414
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$0.265
|
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|
$0.203
|
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|
$0.181
|
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$0.139
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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|
MOSFETs
|
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ2460-AU_R1_000A1
- Panjit
-
1:
$0.77
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJQ2460AUR1000A1
|
Panjit
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
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|
$0.77
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$0.473
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$0.311
|
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$0.245
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|
$0.209
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$0.158
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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MOSFETs
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Si
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Módulos IGBT 1200 V, 225 A dual IGBT module
- FF225R12ME4B11BPSA2
- Infineon Technologies
-
10:
$101.21
-
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-225R12ME4B11B2
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 225 A dual IGBT module
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Min.: 10
Mult.: 10
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IGBT Modules
|
Si
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