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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015
- CSD25304W1015T
- Texas Instruments
-
1:
$1.69
-
422En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD25304W1015T
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015
|
|
422En existencias
|
|
|
$1.69
|
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$1.08
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$0.626
|
|
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$0.626
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$0.537
|
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|
Ver
|
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$0.484
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$0.478
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Min.: 1
Mult.: 1
:
250
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MOSFETs
|
Si
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SMD/SMT
|
DSBGA-6
|
P-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T
- CSD25304W1015
- Texas Instruments
-
1:
$0.76
-
2,635En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD25304W1015
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T
|
|
2,635En existencias
|
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|
$0.76
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$0.468
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|
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$0.306
|
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|
$0.237
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$0.172
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|
|
Ver
|
|
|
$0.208
|
|
|
$0.158
|
|
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$0.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
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SMD/SMT
|
DSBGA-6
|
P-Channel
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB016N06L3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$4.84
-
1,746En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
1,746En existencias
|
|
|
$4.84
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.23
|
|
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$1.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
- BFP 620F H7764
- Infineon Technologies
-
1:
$0.57
-
11,260En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BFP620FH7764
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
|
|
11,260En existencias
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.289
|
|
|
$0.276
|
|
|
$0.265
|
|
|
$0.251
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SiGe
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|
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB016N06L3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.16
-
997En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3GATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
997En existencias
|
|
|
$4.16
|
|
|
$3.02
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 50V .18A
- BSS84AKVL
- Nexperia
-
1:
$0.16
-
35,604En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BSS84AKVL
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 50V .18A
|
|
35,604En existencias
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.097
|
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|
$0.06
|
|
|
$0.044
|
|
|
Ver
|
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|
$0.022
|
|
|
$0.034
|
|
|
$0.029
|
|
|
$0.022
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AK/SOT23/TO-236AB
- BSS84AK,215
- Nexperia
-
1:
$0.21
-
|
N.º de artículo de Mouser
771-BSS84AK215
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AK/SOT23/TO-236AB
|
|
|
|
|
$0.21
|
|
|
$0.11
|
|
|
$0.081
|
|
|
$0.059
|
|
|
$0.052
|
|
|
$0.033
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
|
