6341 Transistores

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCH 4V DRIVE SERIES
Hoja de datos
7,333En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCH 4V DRIVE SERIES
Hoja de datos
2,642En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-26-6 P-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCH 4V DRIVE SERIES
Hoja de datos
2,965En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-26-6 P-Channel
Microchip / Microsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150V 25A NPN Power BJT THT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
No
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3 (TO-204AA-2) NPN
Microchip Technology 2C6341-MSCL
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip / Microsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150V 25A NPN Power BJT THT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
No
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3 (TO-204AA-2) NPN
Microchip Technology 2C6341
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip / Microsemi Jantxv2N6341
Microchip / Microsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150V 25A NPN Power BJT THT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
No
BJTs - Bipolar Transistors Si
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SOT-363, -30V, -5A, 150C, P
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si
Nexperia GaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Hoja de datos
1,028En existencias
1,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

GaN FETs GaN SMD/SMT VQFN-7 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3008CBKV/SOT666/SOT6
Hoja de datos
7,373En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-666-6 N-Channel, P-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
348En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies FZ1000R45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT IHV IHM T
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2
Mult.: 2
No
IGBT Modules Si
Infineon Technologies FZ1500R45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT IHV IHM T
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No
IGBT Modules Si