7355 Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT
Hoja de datos
2,460En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87355Q5D
Hoja de datos
194En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MOSFETs Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel
Texas Instruments CSD87355Q5DG4
Texas Instruments MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET
Hoja de datos
MOSFETs
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
5,279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT LGA-20
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT LGA-20