OptiMOS 3M Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M 62,857En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.7 A 21.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M 4,980En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 73 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M 19,448En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.7 A 21.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M 3,873En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 9.3 A 14.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M 2,614En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 9.3 A 14.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M 6,193En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 113 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M 1,230En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M 1,175En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M 6,004En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 73 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel